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UMT2NTR中文资料

UMT2NTR图片

UMT2NTR外观图

  • 大小:71KB
  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR DUAL UM6 PNP/PNP; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-150mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Package / Case:SOT-363; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose; Collector Emitter Voltage Vces:-500mV; Current Ic Continuous a Max:50mA; Hfe Min:120; Power Dissipation Pd:150mW
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大:150mW
  • 频率 - 转换:140MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:UMT6
  • 包装:带卷 (TR)

UMT2NTR供应商

更新时间:2023-01-25 13:01:08
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